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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7842TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7842TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7842TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7842TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7842TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 55170

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7842TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7842TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7842TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 17A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta)  
Numero di prodotto di base IRF7842  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7842TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7842TRPBF IRF7853PBF IRF7855PBF IRF7854TRPBF
Modello di prodotti IRF7842TRPBF IRF7853PBF IRF7855PBF IRF7854TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IRF7842 - - IRF7854
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (max) a Id 2.25V @ 250µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 100 V 60 V 80 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 20 V 1640 pF @ 25 V 1560 pF @ 25 V 1620 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta) 8.3A (Ta) 12A (Ta) 10A (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 17A, 10V 18mOhm @ 8.3A, 10V 9.4mOhm @ 12A, 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V - 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V

IRF7842TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7842TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7842TRPBF - Infineon Technologies.

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