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IRF7832TR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7832TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7832TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7832TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7832.pdf
In magazzino: 4430

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7832TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7832TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7832TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.32V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4310 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7832TR

Proprietà del prodotto IRF7832TR IRF7828TRPBF IRF7832PBF IRF7832ZTR
Modello di prodotti IRF7832TR IRF7828TRPBF IRF7832PBF IRF7832ZTR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2.32V @ 250µA 1V @ 250µA 2.32V @ 250µA 2.35V @ 250µA
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4310 pF @ 15 V 1010 pF @ 15 V 4310 pF @ 15 V 3860 pF @ 15 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta) 13.6A (Ta) 20A (Ta) 21A (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V 12.5mOhm @ 10A, 4.5V 4mOhm @ 20A, 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V 14 nC @ 5 V 51 nC @ 4.5 V 45 nC @ 4.5 V

IRF7832TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7832TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7832TR - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf
Schede tecniche
IRF7832.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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