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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7821TR
IRF7821TR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7821TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7821TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7821TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7821.pdf
In magazzino: 4370

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7821TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7821TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7821TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9.1mOhm @ 13A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 155°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13.6A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7821TR

Proprietà del prodotto IRF7821TR IRF7822TRPBF IRF7821PBF IRF7815TRPBF
Modello di prodotti IRF7821TR IRF7822TRPBF IRF7821PBF IRF7815TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V 4.5V, 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 9.1mOhm @ 13A, 10V 6.5mOhm @ 15A, 4.5V 9.1mOhm @ 13A, 10V 43mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 5V @ 100µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 150 V
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 15 V 5500 pF @ 16 V 1010 pF @ 15 V 1647 pF @ 75 V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13.6A (Ta) 18A (Ta) 13.6A (Ta) 5.1A (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 60 nC @ 5 V 14 nC @ 4.5 V 38 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRF7821TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7821TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7821TR - Infineon Technologies.

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PCN Obsolescence/ EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Schede tecniche
IRF7821.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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