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IRF7755TR Image
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IRF7755TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7755TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7755TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
IRF7755.pdf
In magazzino: 4430

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7755TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7755TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7755TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 51mOhm @ 3.7A, 4.5V  
Potenza - Max 1W  
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1090pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.9A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF775  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7755TR

Proprietà del prodotto IRF7755TR IRF7750TR IRF7751TRPBF IRF7755
Modello di prodotti IRF7755TR IRF7750TR IRF7751TRPBF IRF7755
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.9A 4.7A 4.5A 3.9A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 30V 20V
Rds On (max) a Id, Vgs 51mOhm @ 3.7A, 4.5V 30mOhm @ 4.7A, 4.5V 35mOhm @ 4.5A, 10V 51mOhm @ 3.7A, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V 39nC @ 5V 44nC @ 10V 17nC @ 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1090pF @ 15V 1700pF @ 15V 1464pF @ 25V 1090pF @ 15V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Numero di prodotto di base IRF775 IRF7750 IRF775 IRF775
Potenza - Max 1W 1W 1W 1W

IRF7755TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7755TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7755TR - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Schede tecniche
IRF7755.pdf

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Europa Germania 5
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