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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF7705TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7705TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7705TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
Pacchetto
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
IRF7705PBF.pdf
La nostra certificazione
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7705TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7705TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7705TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2774 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7705TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7705TRPBF IRF7705TR IRF7739L1TRPBF IRF7726TRPBF
Modello di prodotti IRF7705TRPBF IRF7705TR IRF7739L1TRPBF IRF7726TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta) 1.5W (Tc) 3.8W (Ta), 125W (Tc) 1.79W (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 8A, 10V 18mOhm @ 8A, 10V 1mOhm @ 160A, 10V 26mOhm @ 7A, 10V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP 8-TSSOP DirectFET™ Isometric L8 Micro8™
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) 8A (Tc) 46A (Ta), 270A (Tc) 7A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V 88 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 40 V 30 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) DirectFET™ Isometric L8 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2774 pF @ 25 V 2774 pF @ 25 V 11880 pF @ 25 V 2204 pF @ 25 V

IRF7705TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7705TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7705TRPBF - Infineon Technologies.

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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