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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7478TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7478TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7478TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7478TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7478TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4480

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7478TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7478TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7478TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 26mOhm @ 4.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1740 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7478TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7478TRPBF IRF7484Q IRF7477PBF IRF7477TR
Modello di prodotti IRF7478TRPBF IRF7484Q IRF7477PBF IRF7477TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Rds On (max) a Id, Vgs 26mOhm @ 4.2A, 10V 10mOhm @ 14A, 7V 8.5mOhm @ 14A, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta) 14A (Ta) 14A (Ta) 14A (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V 100 nC @ 7 V 38 nC @ 4.5 V 38 nC @ 4.5 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±8V ±20V ±20V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1740 pF @ 25 V 3520 pF @ 25 V 2710 pF @ 15 V 2710 pF @ 15 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 7V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 40 V 30 V 30 V

IRF7478TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7478TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7478TRPBF - Infineon Technologies.

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