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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7471TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7471TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7471TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7471TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7471PbF.pdf
In magazzino: 4550

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7471TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7471TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7471TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2820 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7471TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7471TRPBF IRF7469TRPBF IRF7477TR IRF7476TRPBF
Modello di prodotti IRF7471TRPBF IRF7469TRPBF IRF7477TR IRF7476TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta) 9A (Ta) 14A (Ta) 15A (Ta)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V 17mOhm @ 9A, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V 8mOhm @ 15A, 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.8V, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2820 pF @ 20 V 2000 pF @ 20 V 2710 pF @ 15 V 2550 pF @ 6 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 38 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 30 V 12 V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.9V @ 250µA
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V

IRF7471TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7471TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7471TRPBF - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
IR Part Numbering System.pdf
Schede tecniche
IRF7471PbF.pdf

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