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IRF7463TR Image
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IRF7463TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7463TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7463TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7463TR.pdf
In magazzino: 4650

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7463TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7463TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7463TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 14A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7463TR

Proprietà del prodotto IRF7463TR IRF7466 IRF7466PBF IRF7464PBF
Modello di prodotti IRF7463TR IRF7466 IRF7466PBF IRF7464PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±30V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 14 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 14A, 10V 12.5mOhm @ 11A, 10V 12.5mOhm @ 11A, 10V 730mOhm @ 720mA, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 15 V 2100 pF @ 15 V 2100 pF @ 15 V 280 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 200 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta) 11A (Ta) 11A (Ta) 1.2A (Ta)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V

IRF7463TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7463TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7463TR - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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