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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7416QTRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7416QTRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7416QTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7416QTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7416QPbF.pdf
In magazzino: 4910

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7416QTRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7416QTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7416QTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7416QTRPBF

Proprietà del prodotto IRF7416QTRPBF IRF7420TR IRF7420TRPBF IRF7416PBF
Modello di prodotti IRF7416QTRPBF IRF7420TR IRF7420TRPBF IRF7416PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 12 V 12 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 900mV @ 250µA 1V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta) 11.5A (Tc) 11.5A (Tc) 10A (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 3529 pF @ 10 V 3529 pF @ 10 V 1700 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V 14mOhm @ 11.5A, 4.5V 14mOhm @ 11.5A, 4.5V 20mOhm @ 5.6A, 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 38 nC @ 4.5 V 38 nC @ 4.5 V 92 nC @ 10 V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

IRF7416QTRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7416QTRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7416QTRPBF - Infineon Technologies.

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