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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7413Z
IRF7413Z Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7413Z - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7413Z
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7413Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7413Z.pdf
In magazzino: 5130

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7413Z
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7413Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7413Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 13A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7413Z

Proprietà del prodotto IRF7413Z IRF7413ZTRPBF IRF7413QTRPBF IRF7413TRPBF
Modello di prodotti IRF7413Z IRF7413ZTRPBF IRF7413QTRPBF IRF7413TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (th) (max) a Id 2.25V @ 250µA 2.25V @ 25µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta) 13A (Ta) 13A (Ta) 13A (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V 1210 pF @ 15 V 1800 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 13A, 10V 10mOhm @ 13A, 10V 11mOhm @ 7.3A, 10V 11mOhm @ 7.3A, 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 79 nC @ 10 V 79 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Bulk

IRF7413Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7413Z PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7413Z - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
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PCN Obsolescence/ EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Schede tecniche
IRF7413Z.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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