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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7402TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7402TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7402TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7402TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7402TRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4590

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7402TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7402TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7402TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 4.1A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.8A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7402TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7402TRPBF IRF7403PBF IRF7402PBF IRF7401PBF
Modello di prodotti IRF7402TRPBF IRF7403PBF IRF7402PBF IRF7401PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 57 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V 48 nC @ 4.5 V
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 4.1A, 4.5V 22mOhm @ 4A, 10V 35mOhm @ 4.1A, 4.5V 22mOhm @ 4.1A, 4.5V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.8A (Ta) 8.5A (Ta) 6.8A (Ta) 8.7A (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V 1200 pF @ 25 V 650 pF @ 15 V 1600 pF @ 15 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 20 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±12V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -

IRF7402TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7402TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7402TRPBF - Infineon Technologies.

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