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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7379PBF
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF7379PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7379PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7379PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7379PBF.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 5200

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OPZIONE ESPRIT
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La nostra certificazione

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7379PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7379PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7379PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V  
Potenza - Max 2.5W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A, 4.3A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base IRF737  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7379PBF

Proprietà del prodotto IRF7379PBF IRF7379QTRPBF IRF7379 IRF7379TRPBF
Modello di prodotti IRF7379PBF IRF7379QTRPBF IRF7379 IRF7379TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V
Pacchetto Tube Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR)
Potenza - Max 2.5W 2.5W 2.5W 2.5W
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 25nC @ 10V 25nC @ 10V 25nC @ 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base IRF737 IRF737 IRF737 IRF737
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A, 4.3A 5.8A, 4.3A 5.8A, 4.3A 5.8A, 4.3A
Caratteristica FET - Logic Level Gate - -
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V 520pF @ 25V 520pF @ 25V 520pF @ 25V

IRF7379PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7379PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7379PBF - Infineon Technologies.

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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