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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7343QTRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7343QTRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7343QTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7343QTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7343QTRPBF.pdf
In magazzino: 4030

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7343QTRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7343QTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7343QTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 55V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A, 3.4A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base IRF734  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7343QTRPBF

Proprietà del prodotto IRF7343QTRPBF IRF7342QTRPBF IRF7350TRPBF IRF7343TRPBF
Modello di prodotti IRF7343QTRPBF IRF7342QTRPBF IRF7350TRPBF IRF7343TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 210mOhm @ 2.1A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V
Caratteristica FET - Logic Level Gate - -
Tensione drain-source (Vdss) 55V 55V 100V 55V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Numero di prodotto di base IRF734 IRF734 IRF7350 IRF734
Potenza - Max 2W 2W 2W 2W
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V 690pF @ 25V 380pF @ 25V 740pF @ 25V
Configurazione N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A, 3.4A 3.4A 2.1A, 1.5A 4.7A, 3.4A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V 38nC @ 10V 28nC @ 10V 36nC @ 10V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Serie - - HEXFET® HEXFET®

IRF7343QTRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7343QTRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7343QTRPBF - Infineon Technologies.

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