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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7338TRPBF
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF7338TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7338TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7338TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7338TRPBF.pdf
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7338TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7338TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7338TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 34mOhm @ 6A, 4.5V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 9V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 12V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.3A, 3A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base IRF733  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7338TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7338TRPBF IRF7341GTRPBF IRF7335D1TR IRF7338PBF
Modello di prodotti IRF7338TRPBF IRF7341GTRPBF IRF7335D1TR IRF7338PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Potenza - Max 2W 2.4W 2W 2W
Rds On (max) a Id, Vgs 34mOhm @ 6A, 4.5V 50mOhm @ 5.1A, 10V 17.5mOhm @ 10A, 4.5V 34mOhm @ 6A, 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 9V 780pF @ 25V 1500pF @ 15V 640pF @ 9V
Numero di prodotto di base IRF733 IRF734 IRF733 IRF733
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V 44nC @ 10V 20nC @ 4.5V 8.6nC @ 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 12V 55V 30V 12V
Configurazione N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical N and P-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie HEXFET® HEXFET® FETKY™ HEXFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 14-SOIC 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.3A, 3A 5.1A 10A 6.3A, 3A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRF7338TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7338TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7338TRPBF - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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