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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7316TR
IRF7316TR Image
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRF7316TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7316TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7316TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7316.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 3950

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7316TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7316TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7316TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 58mOhm @ 4.9A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF731  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7316TR

Proprietà del prodotto IRF7316TR IRF7317PBF IRF7316TRPBF IRF7314QTRPBF
Modello di prodotti IRF7316TR IRF7317PBF IRF7316TRPBF IRF7314QTRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A 6.6A, 5.3A 4.9A 5.2A
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V 27nC @ 4.5V 34nC @ 10V 29nC @ 4.5V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (max) a Id, Vgs 58mOhm @ 4.9A, 10V 29mOhm @ 6A, 4.5V 58mOhm @ 4.9A, 10V 58mOhm @ 5.2A, 4.5V
Configurazione 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V 900pF @ 15V 710pF @ 25V 913pF @ 15V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base IRF731 IRF731 IRF731 IRF731
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 20V 30V 20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 2W 2W 2W 2.4W

IRF7316TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7316TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7316TR - Infineon Technologies.

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IRF7316.pdf

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America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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