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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7207PBF
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IRF7207PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7207PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7207PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7207PBF.pdf
In magazzino: 5060

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7207PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7207PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7207PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 5.4A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7207PBF

Proprietà del prodotto IRF7207PBF IRF720S IRF720PBF IRF7207TRPBF
Modello di prodotti IRF7207PBF IRF720S IRF720PBF IRF7207TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 15 V 410 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V 780 pF @ 15 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 400 V 400 V 20 V
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min) 4V @ 250µA 4V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 50W (Tc) 2.5W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 10V 10V 2.7V, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±12V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A (Tc) 3.3A (Tc) 3.3A (Tc) 5.4A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO D²PAK (TO-263) TO-220AB 8-SO
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 5.4A, 4.5V 1.8Ohm @ 2A, 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® - - HEXFET®

IRF7207PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7207PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7207PBF - Infineon Technologies.

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