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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF6721STRPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF6721STRPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRF6721STRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6721STRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric SQ
Scheda dati
IRF6721STRPBF.pdf
In magazzino: 70670

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6721STRPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRF6721STRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRF6721STRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DirectFET™ Isometric SQ  
Serie DirectFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.3mOhm @ 14A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric SQ  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 60A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRF6721STRPBF

Proprietà del prodotto IRF6721STRPBF IRF6727MTRPBF IRF6727MTR1PBF IRF6725MTRPBF
Modello di prodotti IRF6721STRPBF IRF6727MTRPBF IRF6727MTR1PBF IRF6725MTRPBF
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric SQ DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore DirectFET™ Isometric SQ DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 25µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 100µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V 74 nC @ 4.5 V 74 nC @ 4.5 V 54 nC @ 4.5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 60A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 28A (Ta), 170A (Tc)
Serie DirectFET™ HEXFET® HEXFET® HEXFET®
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 15 V 6190 pF @ 15 V 6190 pF @ 15 V 4700 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 7.3mOhm @ 14A, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V 2.2mOhm @ 28A, 10V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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