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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF6618TRPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF6618TRPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRF6618TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6618TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IRF6618 - DIRECTFET POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric MT
Scheda dati
IRF6618TRPBF.pdf
In magazzino: 4460

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6618TRPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRF6618TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRF6618TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MT  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MT  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5640 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta), 170A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRF6618TRPBF

Proprietà del prodotto IRF6618TRPBF IRF6620TR1 IRF6618TR1 IRF6619TR1
Modello di prodotti IRF6618TRPBF IRF6620TR1 IRF6618TR1 IRF6619TR1
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 30 V 20 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta), 170A (Tc) 27A (Ta), 150A (Tc) 30A (Ta), 170A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MT DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MT DIRECTFET™ MX
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 4.5 V 42 nC @ 4.5 V 65 nC @ 4.5 V 57 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (max) a Id 2.35V @ 250µA 2.45V @ 250µA 2.35V @ 250µA 2.45V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V 2.7mOhm @ 27A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MT DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MT DirectFET™ Isometric MX
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5640 pF @ 15 V 4130 pF @ 10 V 5640 pF @ 15 V 5040 pF @ 10 V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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