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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF6601
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF6601 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF6601
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6601
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DirectFET™ Isometric MT
Scheda dati
IRF6601/TR1.pdf
In magazzino: 4900

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6601
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF6601, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF6601

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MT  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.8mOhm @ 26A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 42W (Tc)  
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MT  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3440 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Ta), 85A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF6601

Proprietà del prodotto IRF6601 IRF654B IRF6602 IRF644STRR
Modello di prodotti IRF6601 IRF654B IRF6602 IRF644STRR
fabbricante Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Vishay Siliconix
Rds On (max) a Id, Vgs 3.8mOhm @ 26A, 10V - 13mOhm @ 11A, 10V 280mOhm @ 8.4A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V - 18 nC @ 4.5 V 68 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Contenitore / involucro DirectFET™ Isometric MT - DirectFET™ Isometric MQ TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Contenitore dispositivo fornitore DIRECTFET™ MT - DIRECTFET™ MQ D²PAK (TO-263)
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA - 2.3V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® * HEXFET® -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Ta), 85A (Tc) - 11A (Ta), 48A (Tc) 14A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V - 20 V 250 V
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 42W (Tc) - 2.3W (Ta), 42W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3440 pF @ 15 V - 1420 pF @ 10 V 1300 pF @ 25 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IRF6601 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF6601 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF6601 - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
IR Part Numbering System.pdf DirectFET MOSFET 4Ps Checklist.pdf
Schede tecniche
IRF6601/TR1.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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