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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF6218STRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF6218STRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF6218STRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF6218STRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3690

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF6218STRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF6218STRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF6218STRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 150mOhm @ 16A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2210 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF6218STRLPBF

Proprietà del prodotto IRF6218STRLPBF IRF624SPBF IRF624 IRF624
Modello di prodotti IRF6218STRLPBF IRF624SPBF IRF624 IRF624
fabbricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Harris Corporation
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 250 V 250 V 250 V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 150mOhm @ 16A, 10V 1.1Ohm @ 2.6A, 10V 1.1Ohm @ 2.6A, 10V 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220AB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2210 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Caratteristica FET - - - -
Serie HEXFET® - - -
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc) 4.4A (Tc) 4.4A (Tc) 4.4A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRF6218STRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF6218STRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF6218STRLPBF - Infineon Technologies.

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