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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF5802TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF5802TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF5802TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
IRF5802.pdf
In magazzino: 4660

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF5802TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF5802TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF5802TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro6™(TSOP-6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 88 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 900mA (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF5802TR

Proprietà del prodotto IRF5802TR IRF5803D2PBF IRF542 IRF5800TR
Modello di prodotti IRF5802TR IRF5803D2PBF IRF542 IRF5800TR
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Harris Corporation Infineon Technologies
Serie - FETKY™ - HEXFET®
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Pacchetto Cut Tape (CT) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V 112mOhm @ 3.4A, 10V 100mOhm @ 17A, 10V 85mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 40 V 100 V 30 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 88 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 535 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 900mA (Ta) 3.4A (Ta) 25A (Tc) 4A (Ta)
Caratteristica FET - Schottky Diode (Isolated) - -
Contenitore dispositivo fornitore Micro6™(TSOP-6) 8-SO TO-220AB Micro6™(TSOP-6)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V

IRF5802TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF5802TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF5802TR - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
IR Part Numbering System.pdf
Schede tecniche
IRF5802.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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