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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF4905STRRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF4905STRRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF4905STRRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF4905STRRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF4905STRRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 26306

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF4905STRRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF4905STRRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF4905STRRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 42A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF4905  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF4905STRRPBF

Proprietà del prodotto IRF4905STRRPBF IRF4905STRLPBF IRF4905SPBF IRF510
Modello di prodotti IRF4905STRRPBF IRF4905STRLPBF IRF4905SPBF IRF510
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc) 5.6A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Numero di prodotto di base IRF4905 IRF4905 - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc) 43W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 42A, 10V 20mOhm @ 42A, 10V 20mOhm @ 42A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 100 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK D2PAK TO-220AB

IRF4905STRRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF4905STRRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF4905STRRPBF - Infineon Technologies.

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