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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF2807STRRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF2807STRRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF2807STRRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF2807STRRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4260

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF2807STRRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF2807STRRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF2807STRRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 13mOhm @ 43A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 82A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF2807  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF2807STRRPBF

Proprietà del prodotto IRF2807STRRPBF IRF2807ZSPBF IRF2807ZPBF IRF2807ZSTRLPBF
Modello di prodotti IRF2807STRRPBF IRF2807ZSPBF IRF2807ZPBF IRF2807ZSTRLPBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3820 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK PG-TO263-3-2 TO-220AB D2PAK
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 75 V 75 V 75 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numero di prodotto di base IRF2807 - IRF2807 IRF2807
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 82A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 13mOhm @ 43A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V

IRF2807STRRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF2807STRRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF2807STRRPBF - Infineon Technologies.

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