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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF1405ZSTRL7PP
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF1405ZSTRL7PP - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF1405ZSTRL7PP
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF1405ZSTRL7PP
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Scheda dati
IRF1405ZSTRL7PP.pdf
In magazzino: 3740

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF1405ZSTRL7PP
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF1405ZSTRL7PP, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF1405ZSTRL7PP

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.9mOhm @ 88A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5360 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF1405ZSTRL7PP

Proprietà del prodotto IRF1405ZSTRL7PP IRF1405ZPBF IRF1405Z IRF1407S
Modello di prodotti IRF1405ZSTRL7PP IRF1405ZPBF IRF1405Z IRF1407S
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 75 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5360 pF @ 25 V 4780 pF @ 25 V 4780 pF @ 25 V 5600 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (max) a Id, Vgs 4.9mOhm @ 88A, 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V 7.8mOhm @ 78A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-220AB TO-220AB D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 100A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRF1405ZSTRL7PP Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF1405ZSTRL7PP PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF1405ZSTRL7PP - Infineon Technologies.

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