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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF1404LPBF
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF1404LPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF1404LPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF1404LPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IRF1404LPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 28531

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF1404LPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF1404LPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF1404LPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7360 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 162A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF1404  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF1404LPBF

Proprietà del prodotto IRF1404LPBF IRF1404L IRF135S203 IRF135SA204
Modello di prodotti IRF1404LPBF IRF1404L IRF135S203 IRF135SA204
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 315 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 135 V 135 V
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Numero di prodotto di base IRF1404 - IRF135 IRF135
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7360 pF @ 25 V 7360 pF @ 25 V 9700 pF @ 50 V 11690 pF @ 50 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Variant
Rds On (max) a Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V 8.4mOhm @ 77A, 10V 5.9mOhm @ 96A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 TO-262 PG-TO263-3-2 D2PAK-7
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 441W (Tc) 500W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 162A (Tc) 162A (Tc) 129A (Tc) 160A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

IRF1404LPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF1404LPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF1404LPBF - Infineon Technologies.

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