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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF1310NSPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF1310NSPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRF1310NSPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF1310NSPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
HEXFET POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF1310NSPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5370

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF1310NSPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRF1310NSPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRF1310NSPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 36mOhm @ 22A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 160W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRF1310NSPBF

Proprietà del prodotto IRF1310NSPBF IRF1312PBF IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRRPBF
Modello di prodotti IRF1310NSPBF IRF1312PBF IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRRPBF
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 36mOhm @ 22A, 10V 10mOhm @ 57A, 10V 36mOhm @ 22A, 10V 36mOhm @ 22A, 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-220AB D2PAK D2PAK
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 160W (Tc) 3.8W (Ta), 210W (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 5450 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) 95A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 80 V 100 V 100 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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