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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF100S201
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF100S201 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF100S201
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF100S201
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRF100S201.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 18931

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF100S201
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF100S201, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF100S201

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 115A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 441W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9500 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 192A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRF100  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF100S201

Proprietà del prodotto IRF100S201 IRF1010EZL IRF1010EPBF IRF1010EZ
Modello di prodotti IRF100S201 IRF1010EZL IRF1010EPBF IRF1010EZ
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 60 V 60 V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9500 pF @ 50 V 2810 pF @ 25 V 3210 pF @ 25 V 2810 pF @ 25 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 192A (Tc) 75A (Tc) 84A (Tc) 75A (Tc)
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 4.2mOhm @ 115A, 10V 8.5mOhm @ 51A, 10V 12mOhm @ 50A, 10V 8.5mOhm @ 51A, 10V
Numero di prodotto di base IRF100 - IRF1010 -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 441W (Tc) 140W (Tc) 200W (Tc) 140W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3 TO-262 TO-220AB TO-220AB
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-220-3

IRF100S201 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF100S201 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF100S201 - Infineon Technologies.

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