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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IR21814PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR21814PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR21814PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
14-DIP (0.300', 7.62mm)
Scheda dati
Cylindrical Battery Holders.pdf
IR2181(4)(S) (PbF).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 14000

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR21814PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR21814PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR21814PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 14-DIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 40ns, 20ns  
Contenitore / involucro 14-DIP (0.300', 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.7V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.9A, 2.3A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base IR21814  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR21814PBF

Proprietà del prodotto IR21814PBF IR21814STRPBF IR2181STRPBF IR21824S
Modello di prodotti IR21814PBF IR21814STRPBF IR2181STRPBF IR21824S
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 14-DIP 14-SOIC 8-SOIC 14-SOIC
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Independent Independent Independent
Contenitore / involucro 14-DIP (0.300', 7.62mm) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Serie - - - -
Numero di prodotto di base IR21814 IR21814 IR2181 IR21824
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.7V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Tempo di salita / scadenza (Typ) 40ns, 20ns 40ns, 20ns 40ns, 20ns 40ns, 20ns
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.9A, 2.3A 1.9A, 2.3A 1.9A, 2.3A 1.9A, 2.3A

IR21814PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR21814PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR21814PBF - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
Cylindrical Battery Holders.pdf
Foglio dati HTML
IR2181(4)(S) (PbF).pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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