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IR21362JTRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR21362JTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR21362JTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Scheda dati
IR21362JTRPBF.pdf
In magazzino: 8370

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR21362JTRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR21362JTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR21362JTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 11.5V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 125ns, 50ns  
Contenitore / involucro 44-LCC (J-Lead), 32 Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 6  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 200mA, 350mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) 3-Phase  
Numero di prodotto di base IR21362  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR21362JTRPBF

Proprietà del prodotto IR21362JTRPBF IR2135STRPBF IR21362PBF IR21363SPBF
Modello di prodotti IR21362JTRPBF IR2135STRPBF IR21362PBF IR21363SPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tensione di alimentazione - 11.5V ~ 20V 10V ~ 20V 11.5V ~ 20V 12V ~ 20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 200mA, 350mA 250mA, 500mA 200mA, 350mA 200mA, 350mA
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Contenitore dispositivo fornitore 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) 28-SOIC 28-PDIP 28-SOIC
Numero di prodotto di base IR21362 IR2135 IR21362 IR21363
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) 3-Phase 3-Phase 3-Phase 3-Phase
Frequenza di ingresso 6 6 6 6
Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting Inverting Inverting, Non-Inverting Inverting
Tempo di salita / scadenza (Typ) 125ns, 50ns 90ns, 40ns 125ns, 50ns 125ns, 50ns
Contenitore / involucro 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 28-DIP (0.600", 15.24mm) 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Serie - - - -
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.2V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

IR21362JTRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR21362JTRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR21362JTRPBF - Infineon Technologies.

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Giappone 4
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