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IR2133STRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2133STRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2133STRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Scheda dati
IR2133STRPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5912

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2133STRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2133STRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2133STRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 28-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 90ns, 40ns  
Contenitore / involucro 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio 125°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 6  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V  
Tipo di ingresso Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) 3-Phase  
Numero di prodotto di base IR2133  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2133STRPBF

Proprietà del prodotto IR2133STRPBF IR2133JTRPBF IR2133PBF IR2133JPBF
Modello di prodotti IR2133STRPBF IR2133JTRPBF IR2133PBF IR2133JPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numero di prodotto di base IR2133 IR2133 IR2133 IR2133
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V
Serie - - - -
Contenitore / involucro 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 28-DIP (0.600", 15.24mm) 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Tipo di ingresso Inverting Inverting Inverting Inverting
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
temperatura di esercizio 125°C (TJ) 125°C (TJ) 125°C (TJ) 125°C (TJ)
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Frequenza di ingresso 6 6 6 6
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Contenitore dispositivo fornitore 28-SOIC 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) 28-PDIP 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) 3-Phase 3-Phase 3-Phase 3-Phase
Tempo di salita / scadenza (Typ) 90ns, 40ns 90ns, 40ns 90ns, 40ns 90ns, 40ns

IR2133STRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2133STRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2133STRPBF - Infineon Technologies.

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Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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