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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverIR2130JPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IR2130JPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2130JPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2130JPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Pacchetto
44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Scheda dati
IR2130JTRPBF Datasheet.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 5360

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento
La nostra certificazione

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2130JPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2130JPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2130JPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 35ns  
Contenitore / involucro 44-LCC (J-Lead), 32 Leads  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 6  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V  
Tipo di ingresso Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) 3-Phase  
Numero di prodotto di base IR2130  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 Hours)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2130JPBF

Proprietà del prodotto IR2130JPBF IR2130 IR2130JTRPBF IR2130STRPBF
Modello di prodotti IR2130JPBF IR2130 IR2130JTRPBF IR2130STRPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di ingresso Inverting Inverting Inverting Inverting
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.2V
Tempo di salita / scadenza (Typ) 80ns, 35ns 80ns, 35ns 80ns, 35ns 80ns, 35ns
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Numero di prodotto di base IR2130 IR2130 IR2130 IR2130
Contenitore / involucro 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 28-DIP (0.600", 15.24mm) 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) 3-Phase 3-Phase 3-Phase 3-Phase
Contenitore dispositivo fornitore 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) 28-PDIP 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) 28-SOIC
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Frequenza di ingresso 6 6 6 6

IR2130JPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2130JPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2130JPBF - Infineon Technologies.

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America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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