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IR2109STR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2109STR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2109STR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IR2109PBF Datasheet.pdf
In magazzino: 10770

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2109STR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2109STR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2109STR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 150ns, 50ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.9V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 200mA, 350mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous  
Numero di prodotto di base IR2109  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2109STR

Proprietà del prodotto IR2109STR IR21094SPBF IR2110PBF IR2110-1
Modello di prodotti IR2109STR IR21094SPBF IR2110PBF IR2110-1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 14-SOIC 14-DIP 14-PDIP
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 500 V 500 V
Numero di prodotto di base IR2109 IR21094 IR2110 IR2110
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous Synchronous Independent Independent
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 200mA, 350mA 200mA, 350mA 2A, 2A 2A, 2A
Tempo di salita / scadenza (Typ) 150ns, 50ns 150ns, 50ns 25ns, 17ns 25ns, 17ns
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.9V 0.8V, 2.9V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Serie - - - -
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-DIP (0.300', 7.62mm) 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads

IR2109STR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2109STR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2109STR - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
Schede tecniche
IR2109PBF Datasheet.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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