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IR2101S - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2101S
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2101S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IR2101,02 (S) (PbF).pdf
In magazzino: 15620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2101S
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2101S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2101S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 100ns, 50ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 210mA, 360mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base IR2101  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2101S

Proprietà del prodotto IR2101S IR2101PBF IR2102PBF IR21014
Modello di prodotti IR2101S IR2101PBF IR2102PBF IR21014
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Inverting Non-Inverting
Tempo di salita / scadenza (Typ) 100ns, 50ns 100ns, 50ns 100ns, 50ns 100ns, 50ns
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Numero di prodotto di base IR2101 IR2101 IR2102 IR21014
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-PDIP 8-PDIP 14-DIP
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Serie - - - -
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Independent Independent Independent
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 210mA, 360mA 210mA, 360mA 210mA, 360mA 210mA, 360mA
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 14-DIP (0.300', 7.62mm)
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET

IR2101S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2101S PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2101S - Infineon Technologies.

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Part Number Guide.pdf
Foglio dati HTML
IR2101,02 (S) (PbF).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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