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IR2010SPBF Image
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IR2010SPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IR2010SPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IR2010SPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Scheda dati
IR2010(S)(PbF).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 10757

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IR2010SPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IR2010SPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IR2010SPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 16-SOIC  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 10ns, 15ns  
Contenitore / involucro 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 200 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 3A, 3A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base IR2010  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IR2010SPBF

Proprietà del prodotto IR2010SPBF IR2011S IR2011STR IR2011SPBF
Modello di prodotti IR2010SPBF IR2011S IR2011STR IR2011SPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore / involucro 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Serie - - - -
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 200 V 200 V 200 V 200 V
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V 0.7V, 2.2V 0.7V, 2.2V 0.7V, 2.2V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 3A, 3A 1A, 1A 1A, 1A 1A, 1A
Tipo di ingresso Non-Inverting Inverting Inverting Inverting
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tempo di salita / scadenza (Typ) 10ns, 15ns 35ns, 20ns 35ns, 20ns 35ns, 20ns
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base IR2010 IR2011 IR2011 IR2011
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Independent Independent Independent
Frequenza di ingresso 2 2 2 2
Configurazione guidata Half-Bridge High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
Contenitore dispositivo fornitore 16-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC

IR2010SPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IR2010SPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IR2010SPBF - Infineon Technologies.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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