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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPW65R045C7
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPW65R045C7 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPW65R045C7
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPW65R045C7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IPW65R045C7.pdf
In magazzino: 5200

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPW65R045C7
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPW65R045C7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPW65R045C7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1.25mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO247-3-41  
Serie CoolMOS™ C7  
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 24.9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4340 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 46A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPW65R045C7

Proprietà del prodotto IPW65R045C7 IPW65R041CFDFKSA2 IPW65R050CFD7A IPW65R065C7
Modello di prodotti IPW65R045C7 IPW65R041CFDFKSA2 IPW65R050CFD7A IPW65R065C7
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Pacchetto Bulk Tube - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4340 pF @ 400 V 8400 pF @ 100 V - -
Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc) 500W (Tc) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 650 V - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V - -
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 46A (Tc) 68.5A (Tc) - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - -
Caratteristica FET - - - -
Serie CoolMOS™ C7 CoolMOS™ CFD2 - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1.25mA 4.5V @ 3.3mA - -
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 24.9A, 10V 41mOhm @ 33.1A, 10V - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO247-3-41 PG-TO247-3 - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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