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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPW60R099P7XKSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPW60R099P7XKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPW60R099P7XKSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IPW60R099P7XKSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9431

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPW60R099P7XKSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPW60R099P7XKSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPW60R099P7XKSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 530µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO247-3  
Serie CoolMOS™ P7  
Rds On (max) a Id, Vgs 99mOhm @ 10.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 117W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1952 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPW60R099  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPW60R099P7XKSA1

Proprietà del prodotto IPW60R099P7XKSA1 IPW60R099CPA IPW60R125CP IPW60R099P6XKSA1
Modello di prodotti IPW60R099P7XKSA1 IPW60R099CPA IPW60R125CP IPW60R099P6XKSA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tube Bulk Bulk Tube
Serie CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ P6
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1952 pF @ 400 V 2800 pF @ 100 V 2500 pF @ 100 V 3330 pF @ 100 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Tc) 31A (Tc) 25A (Tc) 37.9A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 99mOhm @ 10.5A, 10V 105mOhm @ 18A, 10V 125mOhm @ 16A, 10V 99mOhm @ 14.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 117W (Tc) 255W (Tc) 208W (Tc) 278W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO247-3 PG-TO247-3-41 PG-TO247-3-21 PG-TO247-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Numero di prodotto di base IPW60R099 - - IPW60R099
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 530µA 3.5V @ 1.2mA 3.5V @ 1.1mA 4.5V @ 1.21mA
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -

IPW60R099P7XKSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPW60R099P7XKSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPW60R099P7XKSA1 - Infineon Technologies.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Chgs 3/Nov/2022.pdf

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