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IPU05N03LA - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPU05N03LA
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPU05N03LA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
IP(D,F,S,U)05N03LA G.pdf
In magazzino: 4210

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPU05N03LA
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPU05N03LA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPU05N03LA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore P-TO251-3-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.3mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 94W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3110 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPU05N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPU05N03LA

Proprietà del prodotto IPU05N03LA IPU04N03LA IPU10N03LA IPU039N03LG
Modello di prodotti IPU05N03LA IPU04N03LA IPU10N03LA IPU039N03LG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 50µA 2V @ 80µA 2V @ 20µA -
Rds On (max) a Id, Vgs 5.3mOhm @ 30A, 10V 4mOhm @ 50A, 10V 10.4mOhm @ 30A, 10V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V 41 nC @ 5 V 11 nC @ 5 V -
Contenitore dispositivo fornitore P-TO251-3-1 P-TO251-3-1 P-TO251-3-1 -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole -
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 50A (Tc) 30A (Tc) -
Pacchetto Tube Tube Tube -
Numero di prodotto di base IPU05N IPU04N IPU10N -
Dissipazione di potenza (max) 94W (Tc) 115W (Tc) 52W (Tc) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3110 pF @ 15 V 5199 pF @ 15 V 1358 pF @ 15 V -
Caratteristica FET - - - -

IPU05N03LA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPU05N03LA PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPU05N03LA - Infineon Technologies.

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Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 04/Jun/2009.pdf
Schede tecniche
IP(D,F,S,U)05N03LA G.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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