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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPP65R190CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPP65R190CFD7AAKSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPP65R190CFD7AAKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPP65R190CFD7AAKSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IPP65R190CFD7AAKSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 14373

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPP65R190CFD7AAKSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPP65R190CFD7AAKSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPP65R190CFD7AAKSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 320µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 190mOhm @ 6.4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 77W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1291 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPP65R190  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPP65R190CFD7AAKSA1

Proprietà del prodotto IPP65R190CFD7AAKSA1 IPP65R225C7 IPP65R280E6 IPP65R280C6
Modello di prodotti IPP65R190CFD7AAKSA1 IPP65R225C7 IPP65R280E6 IPP65R280C6
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1291 pF @ 400 V 996 pF @ 400 V 950 pF @ 100 V 950 pF @ 100 V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 320µA 4V @ 240µA 3.5V @ 440µA 3.5V @ 440µA
Dissipazione di potenza (max) 77W (Tc) 63W (Tc) 104W (Tc) 104W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 650 V 650 V 650 V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IPP65R190 - - -
Pacchetto Tube Bulk Bulk Bulk
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 190mOhm @ 6.4A, 10V 225mOhm @ 4.8A, 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) 11A (Tc) 13.8A (Tc) 13.8A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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