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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPP60R385CP
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPP60R385CP - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPP60R385CP
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPP60R385CP
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3-1
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IPP60R385CP.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 32891

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPP60R385CP
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPP60R385CP, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPP60R385CP

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 340µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-1  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 385mOhm @ 5.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPP60R385CP

Proprietà del prodotto IPP60R385CP IPP60R600C6 IPP60R380P6 IPP60R520E6
Modello di prodotti IPP60R385CP IPP60R600C6 IPP60R380P6 IPP60R520E6
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 385mOhm @ 5.2A, 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V - 520mOhm @ 2.8A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 PG-TO220-3-1
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V - 23.4 nC @ 10 V
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ P6 CoolMOS™
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 340µA 3.5V @ 200µA - 3.5V @ 230µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V - 600 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 100 V 440 pF @ 100 V - 512 pF @ 100 V
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc) 63W (Tc) - 66W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc) 7.3A (Tc) 10.6A (Tc) 8.1A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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