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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPP50R380CE
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPP50R380CE - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPP50R380CE
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPP50R380CE
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IPP50R380CE.pdf
In magazzino: 3890

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPP50R380CE
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPP50R380CE, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPP50R380CE

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 260µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-1  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 3.2A, 13V  
Dissipazione di potenza (max) 98W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 584 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24.8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 13V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14.1A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPP50R380CE

Proprietà del prodotto IPP50R380CE IPP50R399CP IPP50R199CPXKSA1 IPP50R520CP
Modello di prodotti IPP50R380CE IPP50R399CP IPP50R199CPXKSA1 IPP50R520CP
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 560 V 550 V 500 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 98W (Tc) 83W (Tc) 139W (Tc) 66W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14.1A (Tc) 9A (Tc) 17A (Tc) 7.1A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 3.2A, 13V 399mOhm @ 4.9A, 10V 199mOhm @ 9.9A, 10V 520mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 260µA 3.5V @ 330µA 3.5V @ 660µA 3.5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Bulk Bulk Tube Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 584 pF @ 100 V 890 pF @ 100 V 1800 pF @ 100 V 680 pF @ 100 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 13V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24.8 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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