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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPP230N06L3G
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPP230N06L3G - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPP230N06L3G
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPP230N06L3G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IPP230N06L3G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 85200

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPP230N06L3G
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPP230N06L3G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPP230N06L3G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 11µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 36W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPP230N06L3G

Proprietà del prodotto IPP230N06L3G IPP200N25N3GXKSA1 IPP220N25NFD IPP260N06N3G
Modello di prodotti IPP230N06L3G IPP200N25N3GXKSA1 IPP220N25NFD IPP260N06N3G
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 250 V 250 V 60 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 64A (Tc) 61A (Tc) 27A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 36W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 36W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 30 V 7100 pF @ 100 V 7076 pF @ 125 V 1200 pF @ 30 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V 20mOhm @ 64A, 10V 22mOhm @ 61A, 10V 25.7mOhm @ 27A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V - 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 11µA 4V @ 270µA 4V @ 270µA 4V @ 11µA
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™FD OptiMOS™3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Bulk Tube Bulk Bulk

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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