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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPP051N15N5AKSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPP051N15N5AKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPP051N15N5AKSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IPP051N15N5AKSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 12093

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPP051N15N5AKSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPP051N15N5AKSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPP051N15N5AKSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4.6V @ 264µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™ 5  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.1mOhm @ 60A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 75 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPP051  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPP051N15N5AKSA1

Proprietà del prodotto IPP051N15N5AKSA1 IPP050N10NF2SAKMA1 IPP04N06NG IPP050N06N
Modello di prodotti IPP051N15N5AKSA1 IPP050N10NF2SAKMA1 IPP04N06NG IPP050N06N
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies INF Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Rds On (max) a Id, Vgs 5.1mOhm @ 60A, 10V 5mOhm @ 60A, 10V - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Numero di prodotto di base IPP051 IPP050M - -
Caratteristica FET - - - -
Serie OptiMOS™ 5 StrongIRFET™ 2 - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V - -
Vgs (th) (max) a Id 4.6V @ 264µA 3.8V @ 84µA - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - -
Pacchetto Tube Tube - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 75 V 3600 pF @ 50 V - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 100 V - -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3 PG-TO220-3 - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 19.4A (Ta), 110A (Tc) - -
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V 6V, 10V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 - -

IPP051N15N5AKSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPP051N15N5AKSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPP051N15N5AKSA1 - Infineon Technologies.

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