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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPP027N08N5AKSA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPP027N08N5AKSA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPP027N08N5AKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPP027N08N5AKSA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IPP027N08N5AKSA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 12318

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPP027N08N5AKSA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPP027N08N5AKSA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPP027N08N5AKSA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 154µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPP027  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPP027N08N5AKSA1

Proprietà del prodotto IPP027N08N5AKSA1 IPP023NE7N3G IPP023N10N5AKSA1 IPP024N06N3G
Modello di prodotti IPP027N08N5AKSA1 IPP023NE7N3G IPP023N10N5AKSA1 IPP024N06N3G
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3-1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 40 V 14400 pF @ 37.5 V 15600 pF @ 50 V 23000 pF @ 30 V
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 154µA 3.8V @ 273µA 3.8V @ 270µA 4V @ 196µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 75 V 100 V 60 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V 206 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 275 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base IPP027 IPP023N IPP023 -
Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc) 300W (Tc) 375W (Tc) 250W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™ OptiMOS™ 3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 6V, 10V 10V

IPP027N08N5AKSA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPP027N08N5AKSA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPP027N08N5AKSA1 - Infineon Technologies.

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Assemblaggio/origine PCN
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