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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPN80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPN80R2K0P7ATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPN80R2K0P7ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPN80R2K0P7ATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
IPN80R2K0P7ATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 82960

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPN80R2K0P7ATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPN80R2K0P7ATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPN80R2K0P7ATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT223  
Serie CoolMOS™ P7  
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 940mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 6.4W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 175 pF @ 500 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPN80R2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPN80R2K0P7ATMA1

Proprietà del prodotto IPN80R2K0P7ATMA1 IPN80R1K4P7 IPN70R600P7SATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1
Modello di prodotti IPN80R2K0P7ATMA1 IPN80R1K4P7 IPN70R600P7SATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 800 V 700 V -
Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT223 PG-SOT223 PG-SOT223 -
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V -
Serie CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CoolMOS™ P7 -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 940mA, 10V 1.4Ohm @ 1.4A, 10V 600mOhm @ 1.8A, 10V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 50µA 3.5V @ 70µA 3.5V @ 90µA -
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA -
Numero di prodotto di base IPN80R2 - IPN70R600 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 175 pF @ 500 V 250 pF @ 500 V 364 pF @ 400 V -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Dissipazione di potenza (max) 6.4W (Tc) 7W (Tc) 6.9W (Tc) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) 4A (Tc) 8.5A (Tc) -

IPN80R2K0P7ATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPN80R2K0P7ATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPN80R2K0P7ATMA1 - Infineon Technologies.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Pkg Mark Chg 12/Aug/2021.pdf

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Europa Germania 5
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