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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPI034NE7N3G
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPI034NE7N3G - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPI034NE7N3G
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPI034NE7N3G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
IPI034NE7N3G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 38582

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPI034NE7N3G
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPI034NE7N3G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPI034NE7N3G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 155µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO262-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8130 pF @ 37.5 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPI034NE7N3G

Proprietà del prodotto IPI034NE7N3G IPI075N15N3 IPI075N15N3G IPI052NE7N3G
Modello di prodotti IPI034NE7N3G IPI075N15N3 IPI075N15N3G IPI052NE7N3G
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 5.2mOhm @ 80A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 80A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Serie OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™ 3 OptiMOS™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 150 V 150 V 75 V
Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 150W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 155µA 4V @ 270µA 4V @ 270µA 3.8V @ 91µA
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO262-3 PG-TO262-3-1 PG-TO262-3-1 PG-TO262-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8130 pF @ 37.5 V 5470 pF @ 75 V 5470 pF @ 75 V 4750 pF @ 37.5 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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