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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD80R2K8CEBTMA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD80R2K8CEBTMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD80R2K8CEBTMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD80R2K8CEBTMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD80R2K8CEBTMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4310

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD80R2K8CEBTMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD80R2K8CEBTMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD80R2K8CEBTMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 120µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.8Ohm @ 1.1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD80R  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD80R2K8CEBTMA1

Proprietà del prodotto IPD80R2K8CEBTMA1 IPD80R1K4CEATMA1 IPD80R4K5P7 IPD80R450P7ATMA1
Modello di prodotti IPD80R2K8CEBTMA1 IPD80R1K4CEATMA1 IPD80R4K5P7 IPD80R450P7ATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 120µA 3.9V @ 240µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 220µA
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3-341 PG-TO252-2
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 2.8Ohm @ 1.1A, 10V 1.4Ohm @ 2.3A, 10V 4.5Ohm @ 400mA, 10V 450mOhm @ 4.5A, 10V
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 4 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Tc) 3.9A (Tc) 1.5A (Tc) 11A (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base IPD80R IPD80R1 - IPD80R
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 800 V 800 V 800 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc) 63W (Tc) 13W (Tc) 73W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 100 V 570 pF @ 100 V 80 pF @ 500 V 770 pF @ 500 V

IPD80R2K8CEBTMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPD80R2K8CEBTMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPD80R2K8CEBTMA1 - Infineon Technologies.

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