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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD78CN10NG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD78CN10NG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD78CN10NG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD78CN10NG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD78CN10NG.pdf
In magazzino: 4990

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD78CN10NG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD78CN10NG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD78CN10NG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 12µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-313  
Serie OptiMOS™ 2  
Rds On (max) a Id, Vgs 78mOhm @ 13A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 31W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 716 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD78CN10NG

Proprietà del prodotto IPD78CN10NG IPD75N04S406ATMA1 IPD70R950CEAUMA1 IPD80N04S3-06
Modello di prodotti IPD78CN10NG IPD75N04S406ATMA1 IPD70R950CEAUMA1 IPD80N04S3-06
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 31W (Tc) 58W (Tc) 68W (Tc) 100W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 12µA 4V @ 26µA 3.5V @ 150µA 4V @ 52µA
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 40 V 700 V 40 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 15.3 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 75A (Tc) 7.4A (Tc) 90A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Serie OptiMOS™ 2 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ CoolMOS™ CE OptiMOS®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 716 pF @ 50 V 2550 pF @ 25 V 328 pF @ 100 V 3250 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 78mOhm @ 13A, 10V 5.9mOhm @ 75A, 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 5.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11
Caratteristica FET - - - -

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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