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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD50R800CE
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD50R800CE - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD50R800CE
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD50R800CE
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD50R800CE.pdf
In magazzino: 4580

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD50R800CE
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD50R800CE, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD50R800CE

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 130µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-344  
Serie CoolMOS™ CE  
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 1.5A, 13V  
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 13V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.6A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD50  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD50R800CE

Proprietà del prodotto IPD50R800CE IPD50R520CP IPD50R500CE IPD50R520CPATMA1
Modello di prodotti IPD50R800CE IPD50R520CP IPD50R500CE IPD50R520CPATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 130µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 1.5A, 13V 520mOhm @ 3.8A, 10V 500mOhm @ 2.3A, 13V 520mOhm @ 3.8A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 100 V 680 pF @ 100 V 433 pF @ 100 V 680 pF @ 100 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.6A (Tc) 7.1A (Tc) 7.6A (Tc) 7.1A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.4 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 18.7 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie CoolMOS™ CE CoolMOS™ CP CoolMOS CE™ CoolMOS™ CP
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 13V 10V 13V 10V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IPD50 IPD50R IPD50 IPD50R520
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) 66W (Tc) 57W (Tc) 66W (Tc)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-344 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-344 PG-TO252-3-313

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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