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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIPD50R280CEBTMA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD50R280CEBTMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD50R280CEBTMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD50R280CEBTMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD50R280CEBTMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4460

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD50R280CEBTMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD50R280CEBTMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD50R280CEBTMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 350µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11  
Serie CoolMOS™ CE  
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V  
Dissipazione di potenza (max) 92W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 13V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD50R  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD50R280CEBTMA1

Proprietà del prodotto IPD50R280CEBTMA1 IPD50R2K0CEAUMA1 IPD50R280CEAUMA1 IPD50R399CPATMA1
Modello di prodotti IPD50R280CEBTMA1 IPD50R2K0CEAUMA1 IPD50R280CEAUMA1 IPD50R399CPATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ CE CoolMOS™ CE CoolMOS™ CE CoolMOS™ CP
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 350µA 3.5V @ 50µA 3.5V @ 350µA 3.5V @ 330µA
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 13V 13V 13V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 32.6 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V 2Ohm @ 600mA, 13V 280mOhm @ 4.2A, 13V 399mOhm @ 4.9A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base IPD50R IPD50R2 IPD50R IPD50R
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 2.4A (Tc) 13A (Ta) 9A (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 92W (Tc) 33W (Tc) 119W (Tc) 83W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3-313
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V 124 pF @ 100 V 773 pF @ 100 V 890 pF @ 100 V

IPD50R280CEBTMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPD50R280CEBTMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPD50R280CEBTMA1 - Infineon Technologies.

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