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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IPD050N03LGATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IPD050N03LGATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IPD050N03LGATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IPD050N03LGATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 63050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IPD050N03LGATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IPD050N03LGATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IPD050N03LGATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Numero di prodotto di base IPD050  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IPD050N03LGATMA1

Proprietà del prodotto IPD050N03LGATMA1 IPD053N06NATMA1 IPD050N10N5ATMA1 IPD053N06N MOS
Modello di prodotti IPD050N03LGATMA1 IPD053N06NATMA1 IPD050N10N5ATMA1 IPD053N06N MOS
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) 150W (Tc) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V 5.3mOhm @ 45A, 10V 5mOhm @ 40A, 10V -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 15 V 2000 pF @ 30 V 4700 pF @ 50 V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 18A (Ta), 45A (Tc) 80A (Tc) -
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 2.8V @ 36µA 3.8V @ 84µA -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Numero di prodotto di base IPD050 IPD053 IPD050 -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3 -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 60 V 100 V -

IPD050N03LGATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IPD050N03LGATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IPD050N03LGATMA1 - Infineon Technologies.

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